01
А
Астрономия
02
Б
Биология
03
Г
Гуманитарные науки
04
М
Математика и CS
05
Мд
Медицина
06
Нз
Науки о Земле
07
С
Сельское хозяйство
08
Т
Технические науки
09
Ф
Физика
10
Х
Химия и науки о материалах
Технические науки
14 июня

Увеличить производительность транзисторов можно в обход закона Мура

IOP Publishing Ltd

Американские инженеры предложили способ повышения производительности транзисторов, отличающийся от постоянного сокращения их размеров, предсказанного основателем компании Intel Гордоном Муром. О своем исследовании они рассказали в журнале Nanotechnology.

Согласно закону Мура, количество транзисторов, которое можно разместить на микросхеме одного размера, каждые два года увеличивается в два раза. Однако рано или поздно уменьшать транзисторы дальше станет невозможно. Авторы статьи предложили альтернативный путь в виде совмещения функций различных полупроводниковых устройств.

В качестве примера новой стратегии они предложили устройство, совмещающее в себе функции трех других: полупроводникового диода, полевого униполярного и биполярного транзисторов. «В то время как на современном оборудовании эти устройства можно производить отдельно, и часто требуется сложная схема для их совместной работы, мы можем создать один прибор, выполняющий функции трех устройств», — рассказал один из авторов разработки, инженер из Университета штата Нью-Йорк Чжи-Юнь Ли.

Разработка основана на использовании двумерного селенида вольфрама, недавно открытого представителя класса дихалькогенидов переходных металлов. Этот материал ценится при разработке электронных устройств, так как, в отличие от графена, ширину запрещенной зоны у него можно настраивать, изменяя толщину слоя полупроводника.

Комментарии

Все комментарии
Обсуждаемое