01
А
Астрономия
02
Б
Биология
03
Г
Гуманитарные науки
04
М
Математика и CS
05
Мд
Медицина
06
Нз
Науки о Земле
07
С
Сельское хозяйство
08
Т
Технические науки
09
Ф
Физика
10
Х
Химия и науки о материалах
Физика
8 февраля

Физики научились управлять спиновым диодом

Схема спинового диода: Угол φ отвечает углу между осями антиферромагнетиков, угол θ – углу между намагниченностями ферромагнитных слоев
A. A. Khudorozhkov

Физики предложили схему спинового диода, «зажатого» между слоями различных антиферромагнетиков. Оказалось, что сопротивлением и резонансной частотой такого прибора можно управлять, «поворачивая» антиферромагнетики. Этот подход позволяет в несколько раз увеличить диапазон частот, на которых устройство выпрямляет переменный ток, а чувствительность прибора оказывается сравнима с чувствительностью полупроводниковых диодов. Статья российских ученых опубликована в Physical Review B.

В полупроводниковом диоде соединение областей с повышенной концентрацией электронов и дырок (p-n-переход) приводит к тому, что прибор может пропускать электрический ток только в одну сторону. Используя эту особенность диодов, можно собрать выпрямитель – устройство, которое превращает переменный ток в постоянный. Аналог полупроводникового диода в спинтронике — это спиновый диод.

Спин – это чисто квантовая величина, аналогичная моменту импульса, которым обладают вращающиеся тела из классической механики. В обычном электрическом токе спины электронов направлены хаотично, однако их можно выстроить в одном направлении и получить спиновый ток. Спиновый диод представляет собой два тонких слоя ферромагнетиков, разделенных слоем диэлектрика, в основе его работы лежат эффекты туннельного магнетосопротивления и вращения в результате переноса спина (spin-transfer torque effect).

При пропускании обычного тока через первый слой ферромагнетика спины электронов выстраиваются вдоль намагниченности ферромагнетика, то есть ток становится спиновым. Затем электроны туннелируют через диэлектрик и сталкиваются со вторым ферромагнитным слоем. В зависимости от угла между намагниченностью слоя и спинами электронов частицы лучше или хуже проходят через него – следовательно, сопротивление прибора зависит от ориентации магнитных слоев. Одновременно с этим электроны стараются повернуть второй слой, чтобы проходить через него было проще. Поэтому если пропускать через диод переменный ток, намагниченность его слоев, а следовательно, и сопротивление, будет колебаться одновременно с величиной тока, и в результате ток выпрямляется.

Однако у спиновых диодов есть и недостатки. Например, их чувствительность сильно зависит от частоты переменного тока, резко возрастая около резонансного значения и оставаясь близкой к нулю вдали от него. Кроме того, резонансные частоты всех изготовленных ранее спиновых диодов не превышают двух гигагерц. В то же время, для некоторых приложений – например, для микроволновой голографии – нужны диоды, работающие на бóльших частотах.

В новой работе российские ученые из МФТИ, Российского квантового центра, Института общей физики имени М.А. Прохорова, МИЭТ и Института радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова описывают способ, с помощью которого можно задавать резонансную частоту спинового диода при изготовлении, а также повысить рабочую частоту диодов. Для этого физики предлагают «зажать» диод между двумя антиферромагнитными слоями. Благодаря обменному закреплению слои ферромагнетиков и антиферромагнетиков оказываются связаны, что позволяет управлять углом между намагниченностями ферромагнетиков – а значит, сопротивлением и резонансной частотой прибора. Чтобы проверить работоспособность предложенной схемы, ученые численно смоделировали спиновый диод со слоями толщиной порядка нескольких нанометров, а затем исследовали его свойства.

Оказалось, что что резонансную частоту нового диода можно изменять от 8,5 до 9,5 гигагерц, контролируя угол φ во время изготовления прибора. Впрочем, стоит отметить, что пока ученые рассмотрели предложенную схему только теоретически. Следующим шагом будет изготовление экспериментального образца и непосредственная проверка предсказанных свойств.

13c2591b68baf0709f9dc881c35863feec896b9e
Рассчитанная учеными зависимость между углами θ и φ
A. A. Khudorozhkov

Пресс-релизы о научных исследованиях, информацию о последних вышедших научных статьях и анонсы конференций, а также данные о выигранных грантах и премиях присылайте на адрес science@indicator.ru.

Комментарии

Все комментарии
Обсуждаемое