Новое запоминающее устройство работает как человеческий мозг

Ученые из Института фундаментальных наук в Южной Корее разработали запоминающее устройство для гаджетов, которые люди носят на себе, например, умных часов и телефонов. Работа опубликована в журнале Nature Communications.

На создание этого запоминающего устройства исследователей вдохновили нейронные связи в головном мозге. Мозг учится и запоминает информацию благодаря большому количеству нейронных связей. Нейроны взаимодействуют между собой благодаря электрохимическим сигналам, передающимся через синапсы. Конструктивной особенностью созданного корейскими учёными устройства TRAM (two-terminal tunnelling random access memory —двухтерминальное туннельное запоминающее устройство с произвольным доступом) являются два электрода, в отличие от более распространённой трёхтерминальной флеш-памяти. Связь этих электродов и напоминает соединение двух нейронов. По словам разработчиков, преимущество TRAM состоит в том, что устройство не требует плотного и жесткого оксидного слоя. Ученые подчеркивают, что флеш-память надежнее TRAM и имеет более высокую производительность, однако новый тип памяти более гибок и его можно масштабировать.

TRAM состоит из нескольких двумерных кристаллических слоев. Первый слой - из полупроводника дисульфида молибдена с двумя электродами, второй представляет собой изолирующий слой из гексагонального нитрида бора, третий – слой графена.

Авторы работы подчеркивают, что растяжимость и гибкость устройства делает его перспективным инструментом для следующего поколения мягкой электроники, которая будет прикрепляться к одежде или телу.