Физики МГУ разработали новый способ повышения эффективности магнитных полупроводников
Микропроцессор
© Uberpenguin/Wikimedia Commons
Учёные с физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова выяснили, как повысить коэффициент полезного действия магнитных полупроводников. Результаты работы опубликованы в журнале International Journal of Magnetism & Nuclear Science.
«Нами открыт новый путь повышения термо-ЭДС в магнитных полупроводниках, увеличивая уровень легирования и размер образца (в немагнитных материалах термо-ЭДС не зависит от них)», — говорит главный автор исследования, ведущий научный сотрудник физического факультета МГУ, профессор, доктор физико-математических наук Людмила Королёва.
Учёные использовали стандартную установку для измерения термо-ЭДС в разных магнитных полях в монокристаллических образцах манганитов с различным уровнем легирования и различных геометрических размеров.
«Появилась новая возможность повышения коэффициента полезного действия на порядки термоэлектрических устройств для преобразования тепловой энергии в электрическую, что позволит широко применять их в различных областях», — комментирует Людмилла Королёва.